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河南氮化硅的生产方法分析：
电子级的河南氮化硅薄膜是通过化学气相沉积或者等离子体增强化学气相沉积技术制造的：
3 SiH4（g） + 4 NH3（g） → Si3N4（s） + 12 H2（g）
3 SiCl4（g） + 4 NH3（g） → Si3N4（s） + 12 HCl（g）
3 SiCl2H2（g） + 4 NH3（g） → Si3N4（s） + 6 HCl（g） + 6 H2（g）
如果要在半导体基材上沉积氮化硅，有两种方法可供使用：
利用低压化学气相沉积技术在相对较高的温度下利用垂直或水平管式炉进行。
等离子体增强化学气相沉积技术在温度相对较低的真空条件下进行。
